El FIB‑SEM Scios de Thermo Fisher Scientific del CNME es un sistema DualBeam de haz de iones enfocado y microscopía electrónica de barrido de ultra alta resolución, optimizado para la preparación de muestras y la caracterización detallada de dispositivos de micro y nanoelectrónica a escala nanométrica, permitiendo el fresado de alta precisión, la apertura de secciones transversales sitio‑específicas y la fabricación de láminas TEM en regiones críticas (uniones, interfaces, contactos metálicos), así como el análisis morfológico y composicional correlativo, lo que lo convierte en una herramienta esencial para el diseño, la validación de procesos y el análisis de fallo en tecnologías micro y nanoelectrónicas avanzadas.
Especificaciones técnicas:
SEM:
- Cañón de emisión de campo (FEG).
- Resolución: 0,7 nm en modo STEM a 30 keV, 1,4 nm a 1 keV y 1,2 nm a 1 keV con deceleración de haz.
FIB:
- Fuente de Ga con resolución de 3 nm a 30 keV.
Detectores:
- T1: detector in‑lens segmentado para electrones retrodispersados (BSE).
- T2: detector in‑lens para electrones secundarios (SE).
- Detector ICE de alto rendimiento para conversión de iones y electrones.
- Detector retráctil segmentado para BSE.
- Detector STEM.
- Detector EDS para análisis químico.
Otros sistemas:
- Inyectores de gas (GIS): Pt, W, TiO₂.
- Plasma cleaner integrado.
- Sistema EasyLift para el manejo in‑situ de las láminas.
